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CIB 7 Version française
 
H01L-H01L02198
  H01L 23/00 - H01L 25/18  

SECTION H – ÉLECTRICITÉ


H 01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX


H 01 LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS (systèmes transporteurs pour des plaquettes semi-conductrices B65G 49/07; emploi de dispositifs à semi-conducteurs pour les mesures G01; détails d'appareils à sonde à balayage, en général G12B 21/00; résistances en général H01C; aimants, inductances, transformateurs H01F; condensateurs en général H01G; dispositifs électrolytiques H01G 9/00; piles, accumulateurs H01M; guides d'ondes, résonateurs ou lignes du type guide d'ondes H01P; connecteurs de lignes, collecteurs de courant H01R; dispositifs d'émission stimulée H01S; résonateurs électromécaniques H03H; haut-parleurs, microphones, têtes de lecture pour tourne-disques ou transducteurs acoustiques éléctromécaniques analogues H04R; sources le lumière électrique en général H05B; circuits imprimés, circuits hybrides, enveloppes ou détails de construction d'appareils électriques, fabrication d'ensembles de composants électriques H05K; emploi de dispositifs à semi-conducteurs dans des circuits ayant une application particulière, voir la sous-classe relative à l'application) [2]


Notes

(1)La présente sous-classe couvre:

 les dispositifs électriques à l'état solide non couverts par une autre sous-classe, ainsi que leurs détails, et comprend: les dispositifs à semi-conducteurs adaptés pour le redressement, l'amplification, la génération d'oscillations ou la commutation; les dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux radiations; les dispositifs électriques à l'état solide utilisant les effets thermo-électriques, supraconducteurs, piézo-électriques, électrostrictifs, magnétostrictifs, galvano-magnétiques ou de résistance négative et les dispositifs à circuits intégrés; [2]

 les photo-résistances, les résistances sensibles au champ magnétique, les résistances sensibles au champ électrique, les capacités avec barrière de potentiel, les résistances avec barrière de potentiel ou de surface, les diodes émettrices de lumière non cohérente et les circuits à film mince ou à film épais; [2]

 les procédés et appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de tels dispositifs, sauf dans les cas où de tels procédés ne comportent qu'une seule étape et sont classables ailleurs. [2]

(2)Dans la présente sous-classe, les expressions suivantes ont la signification ci-dessous indiquée:

 "corps à l'état solide" signifie le corps d'un matériau à l'intérieur duquel ou à la surface duquel se produisent les effets physiques caractéristiques du dispositif. Dans les dispositifs thermo-électriques, elle inclut tous les matériaux traversés par le courant.

 Les régions dans ou sur le corps du dispositif (autres que le corps à l'état solide lui-même) qui électriquement exercent une influence sur le corps à l'état solide sont considérées comme "électrodes", qu'elles soient munies ou non de connexions électriques externes. Une électrode peut comporter plusieurs parties, et le terme comprend les régions métalliques qui exercent une influence sur le corps à l'état solide à travers une région isolante (p.ex. couplage capacitif), ainsi que les aménagements de couplage inductif avec le corps. La région diélectrique dans un dispositif capacitif est considérée comme une partie de l'électrode. Dans les dispositifs comportant plusieurs parties, seules celles de ces parties qui exercent une influence sur le corps à l'état solide en vertu de leur forme, de leurs dimensions, ou de leur disposition, ou du matériau dont elles sont formées, sont considérées comme des parties de l'électrode. Les autres éléments sont considérés comme des "dispositions pour conduire le courant électrique vers le, ou hors du corps à l'état solide", ou bien comme des "interconnexions entre les composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun", c. à d. les fils de connexion; [2]

 "dispositif" signifie un élément de circuit électrique; dans le cas où un élément de circuit électrique est l'un d'une pluralité d'éléments formés dans ou sur un substrat commun, il est désigné par l'expression "composant"; [2]

 "dispositif complet" est un dispositif dans son état complètement assemblé qui peut ou non nécessiter un traitement ultérieur, p.ex. l'électroformage, avant d'être prêt à l'emploi, mais qui ne requiert pas l'adjonction d'unités structurelles additionnelles; [2]

 "partie" s'applique à tous les éléments structurels qui sont inclus dans un dispositif complet; [2]

 "conteneur" est une enceinte faisant partie d'un dispositif complet, et se compose essentiellement d'un boîtier solide à l'intérieur duquel le corps du dispositif est placé ou bien qui est formé autour du corps sans, pour autant, constituer une couche qui soit en contact étroit avec celui-ci. Une enceinte consistant en une ou plusieurs couches formées sur le corps et en contact étroit avec lui est désignée par l'expression "capsulation"; [2]

 "circuit intégré" est un dispositif dont tous les composants, p.ex. diodes, résistances, sont réalisés sur ou dans un substrat commun, et constituent le dispositif en incluant les interconnexions entre les composants; [2]

 "assemblage" d'un dispositif est le montage du dispositif à partir de ses composants structurels; il comprend le remplissage des conteneurs. [2]

(3)Dans la présente sous-classe, le procédé ou l'appareil pour la fabrication ou le traitement d'un dispositif d'une part, et le dispositif lui-même d'autre part, sont tous deux classés si les deux sont décrits de façon suffisante pour présenter un intérêt. [6]


Schéma général

DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS 

Dispositifs adaptés pour le redressement, l'amplification, la génération d'oscillations ou la commutation 

H01L 29/00 

Dispositifs sensibles aux, ou émettant des, radiations 

H01L 31/00, H01L 33/00 

DISPOSITIFS À L'ÉTAT SOLIDE UTILISANT DES MATÉRIAUX ORGANIQUES 

H01L 51/00 

AUTRES DISPOSITIFS À L'ÉTAT SOLIDE 

Dispositifs thermo-électriques ou thermomagnétiques 

H01L 35/00, H01L 37/00 

Dispositifs supraconducteurs ou hyperconducteurs 

H01L 39/00 

Eléments piézo-électriques, électrostrictifs ou magnétostrictifs en général 

H01L 41/00 

Dispositifs galvanomagnétiques 

H01L 43/00 

Dispositifs sans barrière de potentiel ni de surface; dispositifs à résistance négative à effet de volume; dispositifs non prévus ailleurs 

H01L 45/00; H01L 47/00; H01L 49/00 

ENSEMBLES DE DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS OU AUTRES DISPOSITIFS À L'ÉTAT SOLIDE 

Ensembles de dispositifs individuels 

H01L 25/00 

Circuits intégrés, circuits à film mince ou à film épais 

H01L 27/00 

DÉTAILS 

H01L 23/00 

FABRICATION 

H01L 21/00 



21/

00Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives (procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs couverts par les groupes H01L 31/00 à H01L 49/00, ou de leurs parties constitutives, voir ces groupes; procédés à une seule étape couverts par d'autres sous-classes, voir les sous-classes appropriées, p.ex. C23C, C30B; production par voie photomécanique de surfaces texturées, matériaux à cet effet ou leurs originaux, appareillages spécialement adaptés à cet effet, en général G03F) [2]

Note

 Les groupes H01L 21/70 à H01L 21/98 ont priorité sur les groupes H01L 21/02 à H01L 21/68. [2]

21/

02.Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives (caractérisés par l'utilisation de matériaux organiques H01L 51/40) [2]

21/

027..Fabrication de masques sur des corps semi-conducteurs pour traitement photolithographique ultérieur, non prévue dans le groupe H01L 21/18 ou H01L 21/34  [5]

21/

033...comportant des couches inorganiques [5]

21/

04..les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges [2]

21/

06...les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant du sélénium ou du tellure, sous forme non combinée, et ne constituant pas des impuretés pour les corps semi-conducteurs d'autres matériaux [2]

21/

08....Préparation de la plaque de support [2]

21/

10....Traitement préliminaire du sélénium ou du tellure, application sur la plaque de support, ou traitement subséquent de l'ensemble [2]

21/

103.....Conversion du sélénium ou du tellure à l'état conducteur [2]

21/

105.....Traitement de la surface de la couche de sélénium ou de tellure après conversion à l'état conducteur [2]

21/

108.....Production de couches isolantes discrètes, c. à d. de barrières de surface non actives [2]

21/

12....Application d'une électrode à la surface libre du sélénium ou du tellure, après l'apposition du sélénium ou du tellure à la plaque de support [2]

21/

14....Traitement du dispositif complet, p.ex. par électroformage pour former une barrière [2]

21/

145.....Vieillissement [2]

21/

16...les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant de l'oxyde cuivreux ou de l'iodure cuivreux [2]

21/

18...les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du quatrième groupe de la Classification Périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage [2,6,7]

Note

 Le présent groupe couvre également les procédés et les appareils qui, en utilisant la technologie appropriée, sont clairement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs dont les corps comprennent des éléments du quatrième groupe de la Classification Périodique ou des composés AIIIBV, même si le matériau utilisé n'est pas explicitement précisé. [7]

21/

20....Dépôt de matériaux semi-conducteurs sur un substrat, p.ex. croissance épitaxiale [2]

21/

203.....en utilisant un dépôt physique, p.ex. dépôt sous vide, pulvérisation [2]

21/

205.....en utilisant la réduction ou la décomposition d'un composé gazeux donnant un condensat solide, c. à d. un dépôt chimique [2]

21/

208.....en utilisant un dépôt liquide [2]

21/

22....Diffusion des impuretés, p.ex. des matériaux de dopage, des matériaux pour électrodes, à l'intérieur ou hors du corps semi-conducteur, ou entre les régions semi-conductrices; Redistribution des impuretés, p.ex. sans introduction ou sans élimination de matériau dopant supplémentaire [2]

21/

223.....en utilisant la diffusion dans ou hors d'un solide, à partir d'une ou en phase gazeuse [2]

21/

225.....en utilisant la diffusion dans ou hors d'un solide, à partir d'une ou en phase solide, p.ex. une couche d'oxyde dopée [2]

21/

228.....en utilisant la diffusion dans ou hors d'un solide, à partir d'une ou en phase liquide, p.ex. procédés de diffusion d'alliage [2]

21/

24....Formation d'alliages d'impuretés, p.ex. des matériaux de dopage, des matériaux pour électrodes, avec un corps semi-conducteur [2]

21/

26....Bombardement par des radiations ondulatoires ou corpusculaires (traitement thermique H01L 21/324) [2]

21/

261.....pour produire une réaction nucléaire donnant des éléments chimiques par transmutation [6]

21/

263.....par des radiations d'énergie élevée (H01L 21/261 a priorité) [2,6]

21/

265......produisant une implantation d'ions (tubes à rayons ioniques pour traitement localisé H01J 37/30) [2]

21/

266.......en utilisant des masques [5]

21/

268......les radiations étant électromagnétiques, p.ex. des rayons laser [2]

21/

28....Fabrication des électrodes sur les corps semi-conducteurs par emploi de procédés ou d'appareils non couverts par les groupes H01L 21/20 à H01L 21/268  [2]

21/

283.....Dépôt de matériaux conducteurs ou isolants pour les électrodes [2]

21/

285......à partir d'un gaz ou d'une vapeur, p.ex. condensation [2]

21/

288......à partir d'un liquide, p.ex. dépôt électrolytique [2]

21/

30....Traitement des corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes H01L 21/20 à H01L 21/26 (fabrication des électrodes sur ces corps H01L 21/28) [2]

21/

301.....pour subdiviser un corps semi-conducteur en parties distinctes, p.ex. cloisonnement en zones séparées (coupe H01L 21/304) [6]

21/

302.....pour changer leurs caractéristiques physiques de surface ou leur forme, p.ex. gravure , polissage, découpage [2]

21/

304......Traitement mécanique, p.ex. meulage, polissage, coupe [2]

21/

306......Traitement chimique ou électrique, p.ex. gravure électrolytique (pour former des couches isolantes H01L 21/31; post-traitement des couches isolantes H01L 21/3105) [2]

21/

3063.......Gravure électrolytique [6]

21/

3065.......Gravure par plasma; Gravure au moyen d'ions réactifs [6]

21/

308.......en utilisant des masques (H01L 21/3063, H01L 21/3065 ont priorité) [2,6]

21/

31.....pour former des couches isolantes en surface, p.ex. pour masquer ou en utilisant des techniques photolithographiques (couches formant des électrodes H01L 21/28; couches de capsulation H01L 21/56); Post-traitement de ces couches; Emploi de matériaux spécifiés pour ces couches [2,5]

21/

3105......Post-traitement [5]

21/

311.......Gravure des couches isolantes [5]

21/

3115.......Dopage des couches isolantes [5]

21/

312......Couches organiques, p.ex. couche photosensible (H01L 21/3105, H01L 21/32 ont priorité) [2,5]

21/

314......Couches inorganiques (H01L 21/3105, H01L 21/32 ont priorité) [2,5]

21/

316.......composées d'oxydes, ou d'oxydes vitreux, ou de verres à base d'oxyde [2]

21/

318.......composées de nitrures [2]

21/

32......en utilisant des masques [2,5]

21/

3205......Dépôt de couches non isolantes, p.ex. conductrices, résistives, sur des couches isolantes (dispositions pour conduire le courant électrique à l'intérieur du dispositif H01L 23/52); Post-traitement de ces couches (fabrication des électrodes H01L 21/28) [5]

21/

321.......Post-traitement [5]

21/

3213........Gravure physique ou chimique des couches, p.ex. pour produire une couche avec une configuration donnée à partir d'une couche étendue déposée au préalable [6]

21/

3215........Dopage des couches [5]

21/

322.....pour modifier leurs propriétés internes, p.ex. pour produire des défectuosités internes [2]

21/

324.....Traitement thermique pour modifier les propriétés des corps semi-conducteurs, p.ex. recuit, frittage (H01L 21/20 à H01L 21/288, H01L 21/302, H01L 21/322 ont priorité) [2]

21/

326.....Application de courants ou de champs électriques, p.ex. pour l'électroformage (H01L 21/20 à H01L 21/288, H01L 21/302 à H01L 21/324 ont priorité) [2]

21/

328....Procédés comportant plusieurs étapes pour la fabrication de dispositifs du type bipolaire, p.ex. diodes, transistors, thyristors [5]

21/

329.....les dispositifs comportant une ou deux électrodes, p.ex. diodes [5]

21/

33.....les dispositifs comportant trois électrodes ou plus [5]

21/

331......Transistors [5]

21/

332......Thyristors [5]

21/

334....Procédés comportant plusieurs étapes pour la fabrication de dispositifs du type unipolaire [5]

21/

335.....Transistors à effet de champ [5]

21/

336......à grille isolée [5]

21/

337......à jonction PN [5]

21/

338......à grille Schottky [5]

21/

339.....Dispositifs à transfert de charge [5,6]

21/

34...les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs non couverts par H01L 21/06, H01L 21/16 et H01L 21/18 avec ou sans impuretés, p.ex. matériaux de dopage [2]

21/

36....Dépôt de matériaux semi-conducteurs sur un substrat, p.ex. croissance épitaxiale [2]

21/

363.....en utilisant un dépôt physique, p.ex. dépôt sous vide, pulvérisation [2]

21/

365.....en utilisant la réduction ou la décomposition d'un composé gazeux donnant un condensat solide, c. à d. un dépôt chimique [2]

21/

368.....en utilisant un dépôt liquide [2]

21/

38....Diffusion des impuretés, p.ex. des matériaux de dopage, des matériaux pour électrodes, dans ou hors du corps semi-conducteur, ou entre les régions semi-conductrices [2]

21/

383.....en utilisant la diffusion dans ou hors d'un solide, à partir d'une ou en phase gazeuse [2]

21/

385.....en utilisant la diffusion dans ou hors d'un solide, à partir d'une ou en phase solide, p.ex. une couche d'oxyde dopée [2]

21/

388.....en utilisant la diffusion dans ou hors d'un solide, à partir d'une ou en phase liquide, p.ex. procédés de diffusion d'alliage [2]

21/

40....Formation d'alliages des impuretés, p.ex. des matériaux de dopage, des matériaux pour électrodes, avec un corps semi-conducteur [2]

21/

42....Bombardement par des radiations [2]

21/

423.....par des radiations d'énergie élevée [2]

21/

425......produisant une implantation d'ions (tubes à rayons ioniques pour traitement localisé H01J 37/30) [2]

21/

426.......en utilisant des masques [5]

21/

428......les radiations étant électromagnétiques, p.ex. des rayons laser [2]

21/

44....Fabrication des électrodes sur les corps semi-conducteurs par emploi de procédés ou d'appareils non couverts par les groupes H01L 21/36 à H01L 21/428  [2]

21/

441.....Dépôt de matériaux conducteurs ou isolants pour les électrodes [2]

21/

443......à partir d'un gaz ou d'une vapeur, p.ex. condensation [2]

21/

445......à partir d'un liquide, p.ex. dépôt électrolytique [2]

21/

447.....impliquant l'application d'une pression, p.ex. soudage par thermo-compression (H01L 21/607 a priorité) [2]

21/

449.....impliquant l'application de vibrations mécaniques, p.ex. vibrations ultrasoniques [2]

21/

46....Traitement de corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes H01L 21/36 à H01L 21/428 (fabrication des électrodes sur ces corps H01L 21/44) [2]

21/

461.....pour changer les caractéristiques physiques ou la forme de leur surface, p.ex. gravure, polissage, découpage [2]

21/

463......Traitement mécanique, p.ex. meulage, traitement par ultrasons [2]

21/

465......Traitement chimique ou électrique, p.ex. gravure électrolytique (pour former des couches isolantes H01L 21/469) [2]

21/

467.......en utilisant des masques [2]

21/

469......pour y former des couches isolantes, p.ex. pour masquer ou en utilisant des techniques photolithographiques (couches formant électrodes H01L 21/44; couches de capsulation H01L 21/56); Post-traitement de ces couches [2,5]

21/

47.......Couches organiques, p.ex. couche photosensible (H01L 21/475, H01L 21/4757 ont priorité) [2,5]

21/

471.......Couches inorganiques (H01L 21/475, H01L 21/4757 ont priorité) [2,5]

21/

473........composées d'oxydes, ou d'oxydes vitreux, ou de verres à base d'oxyde [2]

21/

475.......en utilisant des masques [2,5]

21/

4757.......Post-traitement [5]

21/

4763......Dépôt de couches non isolantes, p.ex. conductrices, résistives sur des couches isolantes; Post-traitement de ces couches (fabrication des électrodes H01L 21/28) [5]

21/

477.....Traitement thermique pour modifier les propriétés des corps semi-conducteurs, p.ex. recuit, frittage (H01L 21/36 à H01L 21/449, H01L 21/461 à H01L 21/475 ont priorité) [2]

21/

479.....Application de courants ou de champs électriques, p.ex. pour l'électroformage (H01L 21/36 à H01L 21/449, H01L 21/461 à H01L 21/477 ont priorité) [2]

21/

48...Fabrication ou traitement de parties, p.ex. de conteneurs, avant l'assemblage des dispositifs, en utilisant des procédés non couverts par l'un uniquement des groupes H01L 21/06 à H01L 21/326 (conteneurs, capsulations, remplissage, supports en soi H01L 23/00) [2]

21/

50...Assemblage de dispositifs à semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par l'un uniquement des groupes H01L 21/06 à H01L 21/326  [2]

21/

52....Montage des corps semi-conducteurs dans les conteneurs [2]

21/

54....Remplissage des conteneurs, p.ex. remplissage en gaz [2]

21/

56....Capsulations, p.ex. couches de capsulation, revêtements [2]

21/

58....Montage des dispositifs à semi-conducteurs sur des supports [2]

21/

60....Fixation des fils de connexion ou d'autres pièces conductrices, devant servir à conduire le courant vers le ou hors du dispositif pendant son fonctionnement [2]

21/

603.....impliquant l'application d'une pression, p.ex. soudage par thermo-compression (H01L 21/607 a priorité) [2]

21/

607.....impliquant l'application de vibrations mécaniques, p.ex. vibrations ultrasonores [2]

21/

62..les dispositifs n'ayant ni barrière de potentiel ni barrière de surface [2]

21/

64.Fabrication ou traitement de dispositifs à l'état solide autres que des dispositifs à semi-conducteurs, ou de leurs parties constitutives, par des méthodes non conçues spécialement pour l'un uniquement des dispositifs couverts par les groupes H01L 31/00 à H01L 49/00  [2]

21/

66.Essai ou mesure durant la fabrication ou le traitement (après la fabrication G01R 31/26) [2]

21/

68.Appareils pour maintenir ou mettre en position les composants pendant leur fabrication, p.ex. calibres [2]

21/

70.Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun, ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci; Fabrication de dispositifs à circuit intégré ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci (fabrication d'ensembles de composants électriques préfabriqués H05K 3/00, H05K 13/00) [2]

21/

71..Fabrication de parties spécifiques de dispositifs définis en H01L 21/70 (H01L 21/28, H01L 21/44 et H01L 21/48 ont priorité) [6]

21/

74...Réalisation de régions profondes à haute concentration en impuretés, p.ex. couches collectrices profondes, connexions internes [2]

21/

76...Réalisation de régions isolantes entre les composants [2]

21/

761....Jonctions PN [6]

21/

762....Régions diélectriques [6]

21/

763....Régions polycristallines semi-conductrices [6]

21/

764....Espaces d'air [6]

21/

765....par effet de champ [6]

21/

768...Fixation d'interconnexions servant à conduire le courant entre des composants distincts à l'intérieur du dispositif [6]

21/

77..Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun [6]

21/

78...avec une division ultérieure du substrat en plusieurs dispositifs individuels (découpage pour changer les caractéristiques physiques de surface ou la forme des corps semi-conducteurs H01L 21/304) [2,6]

21/

782....pour produire des dispositifs qui consistent chacun en un seul élément de circuit (H01L 21/82 a priorité) [6]

21/

784.....le substrat étant un corps semi-conducteur [6]

21/

786.....le substrat étant autre chose qu'un corps semi-conducteur, p.ex. un corps isolant [6]

21/

82....pour produire des dispositifs, p.ex. des circuits intégrés, consistant chacun en une pluralité de composants [2]

21/

822.....le substrat étant un semi-conducteur, en utilisant une technologie au silicium (H01L 21/8258 a priorité) [6]

21/

8222......Technologie bipolaire [6]

21/

8224.......les dispositifs comprenant une combinaison de transistors verticaux et de transistors latéraux [6]

21/

8226.......les dispositifs comprenant une logique à transistors fusionnés ou une logique à injection intégrée [6]

21/

8228.......Dispositifs complémentaires, p.ex. transistors complémentaires [6]

21/

8229.......Structures de mémoires [6]

21/

8232......Technologie à effet de champ [6]

21/

8234.......Technologie MIS [6]

21/

8236........Combinaison de transistors à enrichissement et de transistors à appauvrissement [6]

21/

8238........Transistors à effet de champ complémentaires, p.ex. CMOS [6]

21/

8239........Structures de mémoires [6]

21/

8242.........Structures de mémoires dynamiques à accès aléatoire (DRAM) [6]

21/

8244.........Structures de mémoires statiques à accès aléatoire (SRAM) [6]

21/

8246.........Structures de mémoires mortes (ROM) [6]

21/

8247..........programmables électriquement (EPROM) [6]

21/

8248......Combinaison de technologie bipolaire et de technologie à effet de champ [6]

21/

8249.......Technologie bipolaire et MOS [6]

21/

8252.....le substrat étant un semi-conducteur, en utilisant une technologie III-V (H01L 21/8258 a priorité) [6]

21/

8254.....le substrat étant un semi-conducteur, en utilisant une technologie II-VI (H01L 21/8258 a priorité) [6]

21/

8256.....le substrat étant un semi-conducteur, en utilisant des technologies non couvertes par l'un des groupes H01L 21/822, H01L 21/8252 ou H01L 21/8254 (H01L 21/8258 a priorité) [6]

21/

8258.....le substrat étant un semi-conducteur, en utilisant une combinaison de technologies couvertes par les groupes H01L 21/822, H01L 21/8252, H01L 21/8254 ou H01L 21/8256  [6]

21/

84.....le substrat étant autre chose qu'un corps semi-conducteur, p.ex. étant un corps isolant [2,6]

21/

86......le corps isolant étant du saphir, p.ex. silicium sur une structure en saphir, c. à d. S.O.S. [2,6]

21/

98..Assemblage de dispositifs consistant en composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun; Assemblage de dispositifs à circuit intégré (H01L 21/50 a priorité; assemblages H01L 25/00) [2,5]

   H01L 23/00 - H01L 25/18  
 

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