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CIB 7 Version française
 
C30-C30B01912
  C30B 21/00 - C30B 35/00  

SECTION C – CHIMIE; MÉTALLURGIE


C 30CROISSANCE DES CRISTAUX (séparation par cristallisation en général B01D 9/00) [3]


C 30 BCROISSANCE DES MONOCRISTAUX (par hyper-pression, p.ex. pour la formation de diamants B01J 3/06); SOLIDIFICATION UNIDIRECTIONNELLE DES MATÉRIAUX EUTECTIQUES OU DÉMIXTION UNIDIRECTION- NELLE DES MATÉRIAUX EUTECTOÏDES; AFFINAGE DES MATÉRIAUX PAR FUSION DE ZONE (affinage par fusion de zone des métaux ou alliages C22B); PRODUCTION DE MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE (coulée de métaux, coulée d'autres substances par les mêmes procédés ou appareillages B22D; façonnage des matières plastiques B29; modification de la structure physique de métaux ou alliages C21D, C22F); MONOCRISTAUX OU MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; POST-TRAITEMENT DE MONOCRISTAUX OU DE MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE (pour la fabrication de dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives H01L); APPAREILLAGES À CET EFFET [3]


Notes

(1)Dans la présente sous-classe, les expressions suivantes ont la signification ci-dessous indiquée:

 "monocristal" comprend aussi les macles et les produits à prédominance monocristalline; [3]

 "matériau polycristallin homogène" désigne un matériau à grains cristallins ayant tous la même composition chimique; [5]

 "structure déterminée" désigne la structure d'un matériau dont les grains sont orientés de façon préférentielle ou ont des dimensions supérieures à celles normalement obtenues. [5]

(2)Dans la présente sous-classe:

 la préparation des monocristaux ou de matériaux polycristallins homogènes de structure déterminée, de composition ou de formes particulières est classée dans le groupe relatif au procédé ainsi que dans le groupe C30B 29/00; [3]

 un appareillage spécialement adapté à un procédé spécifique est classé dans le groupe approprié pour le procédé. Un appareillage pouvant être utilisé pour plusieurs procédés est classé dans le groupe C30B 35/00. [3]


Schéma général

CROISSANCE DES MONOCRISTAUX 

à partir de solides ou de gels 

C30B 1/00, C30B 3/00, C30B 5/00 

à partir de liquides 

C30B 7/00 à C30B 21/00, C30B 27/00 

à partir de vapeurs 

C30B 23/00, C30B 25/00 

PRODUCTION DE MONOCRISTAUX OU DE MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE 

C30B 28/00, C30B 30/00 

MONOCRISTAUX OU MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE, CARACTÉRISÉS PAR LEUR MATÉRIAU OU LEUR FORME 

C30B 29/00 

POST-TRAITEMENT 

C30B 31/00, C30B 33/00 

APPAREILLAGE 

C30B 35/00 



Croissance des monocristaux à partir des solides ou des gels [3]


1/

00Croissance des monocristaux à partir de l'état solide (démixtion unidirectionnelle des matériaux eutectoïdes C30B 3/00; sous un fluide protecteur C30B 27/00) [3]

1/

02.par traitement thermique, p.ex. recuit sous contrainte (C30B 1/12 a priorité) [3]

1/

04..Recristallisation isothermique [3]

1/

06..Recristallisation dans un gradient de température [3]

1/

08...Recristallisation par zone [3]

1/

10.par réaction à l'état solide ou diffusion multi-phase [3]

1/

12.par traitement sous pression pendant la croissance [3]


3/

00Démixtion unidirectionnelle des matériaux eutectoïdes [3]


5/

00Croissance des monocristaux à partir de gels (sous un fluide protecteur C30B 27/00) [3]

5/

02.avec addition d'un matériau de dopage [3]


Croissance des monocristaux à partir de liquides; Solidification unidirectionnelle des matériaux eutectiques [3]


7/

00Croissance des monocristaux à partir de solutions en utilisant des solvants liquides à la température ordinaire, p.ex. à partir de solutions aqueuses (à partir de solvants fondus C30B 9/00; par simple solidification ou dans un gradient de température C30B 11/00; sous un fluide protecteur C30B 27/00) [3]

7/

02.par évaporation du solvant [3]

7/

04..en utilisant des solvants aqueux [3]

7/

06..en utilisant des solvants non aqueux [3]

7/

08.par refroidissement de la solution [3]

7/

10.par application d'une pression, p.ex. procédés hydrothermiques [3]

7/

12.par électrolyse [3]

7/

14.le matériau à cristalliser étant produit dans la solution par des réactions chimiques [3]


9/

00Croissance des monocristaux à partir de bains fondus utilisant des solvants fondus (par simple solidification ou dans un gradient de température C30B 11/00; par fusion de zone C30B 13/00; par tirage du cristal C30B 15/00; sur un germe cristallin immergé C30B 17/00; par croissance épitaxiale à partir de la phase liquide C30B 19/00; sous un fluide protecteur C30B 27/00) [3]

9/

02.par évaporation du solvant fondu [3]

9/

04.par refroidissement du bain [3]

9/

06..en utilisant un des constituants du cristal solvant [3]

9/

08..en utilisant d'autres solvants [3]

9/

10...Solvants métalliques [3]

9/

12...Solvants formés de sels, p.ex. croissance dans un fondant [3]

9/

14.par électrolyse [3]


11/

00Croissance des monocristaux par simple solidification ou dans un gradient de température, p.ex. méthode de Bridgman-Stockbarger (C30B 13/00, C30B 15/00, C30B 17/00, C30B 19/00 ont priorité; sous un fluide protecteur C30B 27/00) [3]

11/

02.sans solvants (C30B 11/06 a priorité) [3]

11/

04.en introduisant dans le bain fondu le matériau à cristalliser ou les réactifs le formant in situ [3]

11/

06..au moins un constituant du cristal, mais non tous, étant ajouté [3]

11/

08..tous les constituants du cristal étant ajoutés pendant la cristallisation [3]

11/

10...Constituants solides ou liquides, p.ex. méthode de Verneuil [3]

11/

12...Constituants gazeux, p.ex. croissance vapeur-liquide-solide [3]

11/

14.caractérisée par le germe, p.ex. par son orientation cristallographique [3]


13/

00Croissance des monocristaux par fusion de zone; Affinage par fusion de zone (C30B 17/00 a priorité; par changement de la section transversale du solide traité C30B 15/00; sous un fluide protecteur C30B 27/00; croissance de matériaux polycristallins homogènes de structure déterminée C30B 28/00; affinage par fusion de zone de matériaux spécifiques, voir les sous-classes appropriées pour ces matériaux) [3,5]

13/

02.Fusion de zone à l'aide d'un solvant, p.ex. procédé par déplacement du solvant [3]

13/

04.Homogénéisation par nivellement de zone [3]

13/

06.la zone fondue ne s'étendant pas à toute la section transversale [3]

13/

08.en introduisant dans la zone fondue le matériau à cristalliser ou les réactifs le formant in situ [3]

13/

10..avec addition d'un matériau de dopage [3]

13/

12...à l'état de gaz ou de vapeur [3]

13/

14.Creusets ou récipients [3]

13/

16.Chauffage de la zone fondue [3]

13/

18..l'élément chauffant étant en contact avec, ou immergé dans, la zone fondue [3]

13/

20..par induction, p.ex. technique du fil chaud (C30B 13/18 a priorité; bobines d'induction H05B 6/36) [3]

13/

22..par irradiation ou par décharge électrique [3]

13/

24...en utilisant des radiations électromagnétiques [3]

13/

26.Agitation de la zone fondue [3]

13/

28.Commande ou régulation (commande ou régulation en général G05) [3]

13/

30..Stabilisation, ou commande de la forme, de la zone de fusion, p.ex. par concentrateurs, par champs électromagnétiques; Commande de la section du cristal [3]

13/

32.Mécanismes pour déplacer soit la charge, soit le dispositif de chauffage [3]

13/

34.caractérisée par le germe, p.ex. par son orientation cristallographique [3]


15/

00Croissance des monocristaux par tirage hors d'un bain fondu, p.ex. méthode de Czochralski (sous un fluide protecteur C30B 27/00) [3]

15/

02.en introduisant dans le matériau fondu le matériau à cristalliser ou les réactifs le formant in situ [3]

15/

04..avec addition d'un matériau de dopage, p.ex. pour une jonction n-p [3]

15/

06.Tirage non vertical [3]

15/

08.Tirage vers le bas [3]

15/

10.Creusets ou récipients pour soutenir le bain fondu [3]

15/

12..Méthodes utilisant un creuset double [3]

15/

14.Chauffage du bain fondu ou du matériau cristallisé [3]

15/

16..par irradiation ou par décharge électrique [3]

15/

18..en utilisant un chauffage direct par résistance en plus des autres moyens de chauffage, p.ex. en utilisant le chauffage par effet Peltier [3]

15/

20.Commande ou régulation (commande ou régulation en général G05) [3]

15/

22..Stabilisation, ou commande de la forme, de la zone fondue au voisinage du cristal tiré; Commande de la section du cristal [3]

15/

24...en utilisant des moyens mécaniques, p.ex. des guides de formage (matrices de formage pour la croissance des cristaux par alimentation de couche avec contrôle de surface C30B 15/34) [3]

15/

26...en utilisant des détecteurs de télévision; en utilisant des détecteurs photographiques ou à rayons X [3]

15/

28...en utilisant le changement de poids du cristal ou du bain fondu, p.ex. par les méthodes de flottation [3]

15/

30.Mécanismes pour faire tourner ou pour déplacer soit le bain fondu, soit le cristal (méthodes de flottation C30B 15/28) [3]

15/

32.Porte-germe, p.ex. mandrins [3]

15/

34.Croissance des cristaux par alimentation de couche avec contrôle de surface en utilisant des matrices de formage ou des fentes de guidage [3]

15/

36.caractérisée par le germe, p.ex. par son orientation cristallographique [3]


17/

00Croissance des monocristaux sur un germe restant dans le bain fondu pendant la croissance, p.ex. méthode de Nacken-Kyropoulos (C30B 15/00 a priorité) [3]


19/

00Croissance d'une couche épitaxiale à partir de la phase liquide [3]

19/

02.en utilisant des solvants fondus, p.ex. des fondants [3]

19/

04..le solvant étant un constituant du cristal [3]

19/

06.Chambres de réaction; Nacelles pour bain fondu; Porte-substrat [3]

19/

08.Chauffage de la chambre de réaction ou du substrat [3]

19/

10.Commande ou régulation (commande ou régulation en général G05) [3]

19/

12.caractérisée par le substrat [3]

   C30B 21/00 - C30B 35/00  
 

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