СТАТЬИ И ПУБЛИКАЦИИ

Вход или Регистрация

ПОМОЩЬ В ПАТЕНТОВАНИИ НАУЧНО-ТЕХНИЧЕСКИЙ ФОРУМ Научно-техническая библиотекаНаучно-техническая библиотека SciTecLibrary
 
H01L 31/00 - Полупроводниковые приборы, чувствительные к инфракрасному излучению, свету, электромагнитному, коротковолновому или корпускулярному излучению, предназначенные либо для преобразования энергии такого излучения в электрическую энергию, либо для управления электрической энергией с помощью такого излучения; способы или устройства, специально предназначенные для изготовления или обработки таких приборов или их частей; конструктивные элементы приборов (H01L 51/00 имеет преимущество; приборы, состоящие из нескольких компонентов на твердом теле, сформированных на общей подложке или внутри нее, кроме приборов, содержащих чувствительные к излучению компоненты, в комбинации с одним или несколькими электрическими источниками света H01L 27/00; кровельные покрытия с приспособлениями для размещения и использования устройств для накопления или концентрирования энергии E04D 13/18; получение тепловой энергии с использованием солнечного тепла F24J 2/00; измерение интенсивности рентгеновского излучения, гамма-излучения, корпускулярного или космического излучения с помощью полупроводниковых детекторов G01T 1/24; с помощью резистивных детекторов G01T 1/26; измерение нейтронного излучения с помощью полупроводниковых детекторов G01T 3/08; соединение световодов с оптоэлектронными элементами G02B 6/42; получение энергии от радиоактивных источников G21H) [2,6]
31/02 . конструктивные элементы [2]
31/0203 . . корпусы; герметизирующие средства бескорпусных приборов [5]
31/0216 . . покрытия [5]
31/0224 . . электроды [5]
31/0232 . . оптические элементы или приспособления, связанные с прибором [5]
31/0236 . . специальные поверхностные рельефы [5]
31/024 . . приспособления для охлаждения, нагревания, вентиляции или температурной компенсации [5]
31/0248 . отличающиеся полупроводниковой подложкой [5]
31/0256 . . отличающиеся материалом кристалла [5]
31/0264 . . . неорганическим материалом [5]
31/0272 . . . . использованием селена или теллура [5]
31/028 . . . . содержащим, помимо легирующего вещества и других примесей, только химические элементы четвертой группы Периодической Системы [5]
31/0288 . . . . . отличающимся легирующим веществом [5]
31/0296 . . . . содержащим, помимо легирующего вещества и других примесей, только соединения типа AIIBVI, например CdS, ZnS, HgCdTe [5]
31/0304 . . . . содержащим, помимо легирующего вещества и других примесей, только соединения типа AIIIBV [5]
31/0312 . . . . содержащим, помимо легирующего вещества и других примесей, только соединения типа AIVBIV, например SiC [5]
31/032 . . . . содержащим, помимо легирующего вещества и других примесей, только соединения, не предусмотренные в рубриках H01L 31/0272-H01L 31/0312 [5]
31/0328 . . . . содержащим, помимо легирующего вещества и других примесей, полупроводниковые материалы, предусмотренные в двух или более рубриках H01L 31/0272- H01L 31/032 [5]
31/0336 . . . . . в различных полупроводниковых областях, например гетеропереходах Cu2X - CdX, где X- элемент шестой группы Периодической Системы [5]
31/0352 . . отличающиеся формой или формами, относительными размерами или расположением полупроводниковых областей [5]
31/036 . . отличающиеся кристаллической структурой или особой ориентацией кристаллографических плоскостей [5]
31/0368 . . . содержащие поликристаллические полупроводники (H01L 31/0392 имеет преимущество) [5]
31/0376 . . . содержащие аморфные полупроводники (H01L 31/0392 имеет преимущество) [5]
31/0384 . . . содержащие другие немонокристаллические материалы, например полупроводниковые частицы, внедренные в диэлектрик (H01L 31/0392 имеет преимущество) [5]
31/0392 . . . содержащие тонкие пленки, осажденные на металлические или диэлектрические подложки [5]
31/04 . предназначенные для работы в качестве преобразователей [2]
31/042 . . содержащие панели или матрицы фотоэлектрических элементов, например солнечных элементов [5]
31/045 . . . складные [5]
31/048 . . . герметизированные бескорпусные или с корпусом [5]
31/05 . . . отличающиеся специальными межсоединениями [5]
31/052 . . . с охлаждающими, светоконцентрирующими или светоотражающими средствами [5]
31/055 . . . . в которых световое излучение поглощается и вторично излучается с отличной длиной волны при помощи концентратора, например с использованием люминесцентных материалов [5]
31/058 . . . содержащие средства для использования тепловой энергии, например гибридные системы, или добавочные источники электрической энергии (использующие солнечное тепло вообще F24J 2/00) [5]
31/06 . . отличающиеся по меньшей мере одним потенциальным барьером, на котором имеет место скачкообразное изменение потенциала, или поверхностным барьером [2]
31/062 . . . с потенциальными барьерами только типа металл-диэлектрик-полупроводник [5]
31/065 . . . с потенциальными барьерами только с плавно изменяющейся запрещенной зоной [5]
31/068 . . . с потенциальными барьерами только в виде гомоструктурного p-n-перехода [5]
31/07 . . . с потенциальными барьерами только типа Шотки [5]
31/072 . . . с потенциальными барьерами только в виде p-n-гетероперехода [5]
31/075 . . . с потенциальными барьерами только p-i-n-типа [5]
31/078 . . . содержащие потенциальные барьеры, предусмотренные в двух или более из рубрик H01L 31/062-H01L 31/075 [5]
31/08 . в которых излучение управляет током, проходящим через прибор, например фоторезисторы [2]
31/09 . . приборы, чувствительные к инфракрасному, видимому или ультрафиолетовому излучению (H01L 31/101 имеет преимущество) [5]
31/10 . . отличающиеся наличием, по меньшей мере, одного поверхностного барьера или потенциального барьера, на котором имеет место скачкообразное изменение потенциала, например фототранзисторы [2]
31/101 . . . чувствительные к инфракрасному, видимому или ультрафиолетовому излучению [5]
31/102 . . . . отличающиеся наличием только одного потенциального или поверхностного барьера [5]
31/103 . . . . . с потенциальным барьером в виде p-n-перехода [5]
31/105 . . . . . с потенциальным барьером p-i-n-типа [5]
31/107 . . . . . с потенциальным барьером, работающим в лавинном режиме, например лавинные фотодиоды [5]
31/108 . . . . . с потенциальным барьером Шотки [5]
31/109 . . . . . с потенциальным барьером в виде p-n-гетероперехода [5]
31/11 . . . . отличающиеся наличием двух потенциальных или поверхностных барьеров, например биполярные фототранзисторы [5]
31/111 . . . . отличающиеся наличием трех потенциальных барьеров, например фототиристоры [5]
31/112 . . . . отличающиеся действием полевого эффекта, например плоскостные полевые фототранзисторы [5]
31/113 . . . . . со структурой типа проводник-диэлектрик-полупроводник, например полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик-полупроводник [5]
31/115 . . . приборы, чувствительные к волнам очень короткой длины, например рентгеновскому излучению, гамма-излучению или корпускулярному излучению [5]
31/117 . . . . детекторы излучения, основанные на использовании объемного эффекта, например германиево-литиевые детекторы гамма-излучения с компенсированным p-i-n-переходом [5]
31/118 . . . . детекторы, основанные на использовании поверхностного барьера, или неглубокого p-n-перехода, например детекторы альфа-частиц с использованием поверхностного барьера [5]
31/119 . . . . отличающиеся использованием полевого эффекта, например детекторы со структурой типа металл-диэлектрик-полупроводник [5]
31/12 . связанные с одним или несколькими электрическими, например электролюминесцентными, источниками света конструктивным путем, например путем формирования на общей подложке или внутри нее, и кроме того электрически или оптически связанные с этими источниками света (полупроводниковые приборы по меньшей мере с одним поверхностным или потенциальным барьером, приспособленные для излучения света H01L 33/00; электролюминесцентные элементы и фотоэлементы H03F 17/00; электролюминесцентные источники света как таковые H05B 33/00) [2,5]
31/14 . . с одним или несколькими источниками света, управляемыми полупроводниковыми приборами, чувствительными к излучению, например электронно-оптические преобразователи, электронно-оптические усилители изображения, электронно-оптические устройства для запоминания изображения [2]
31/147 . . . полупроводниковые приборы - источники света и приборы, чувствительные к излучению - отличающиеся наличием по меньшей мере одного потенциального или поверхностного барьера [5]
31/153 . . . . сформированные на общей подложке или внутри нее [5]
31/16 . . с полупроводниковым прибором, чувствительным к излучению и управляемым одним или несколькими источниками света [2]
31/167 . . . полупроводниковые приборы - источники света и приборы, чувствительные к излучению - отличающиеся наличием по меньшей мере одного потенциального или поверхностного барьера [5]
31/173 . . . . сформированные на общей подложке или внутри нее [5]
31/18 . способы и устройства, специально предназначенные для изготовления или обработки таких приборов или их частей (не предназначенные специально для этих приборов H01L 21/00) [2]
31/20 . . приборы или их части, содержащие аморфный полупроводниковый материал [5]

Назад

 
О проекте Контакты Архив старого сайта

Copyright © SciTecLibrary © 2000-2017

Агентство научно-технической информации Научно-техническая библиотека SciTecLibrary. Свид. ФС77-20137 от 23.11.2004.