| Выращивание монокристаллов из твердого состояния или гелей [3]
|
| C30B 1/00
| Выращивание монокристаллов непосредственно из твердого состояния (однонаправленное разделение эвтектик на составные части C30B 3/00; под защитной жидкостью C30B 27/00) [3]
|
| C30B 3/00
| Однонаправленное разделение эвтектик на составные части [3]
|
| C30B 5/00
| Выращивание монокристаллов из гелей (под защитной жидкостью C30B 27/00) [3]
|
| Выращивание монокристаллов из жидкостей; однонаправленное отвердевание эвтектик [3]
|
| C30B 7/00
| Выращивание монокристаллов из растворов с использованием растворителей, являющихся жидкими при обычной температуре, например из водных растворов (из расплавленных растворителей C30B 9/00; обычным замораживанием или замораживанием при температурном градиенте C30B 11/00; под защитной жидкостью C30B 27/00) [3]
|
| C30B 9/00
| Выращивание монокристаллов из расплавов с использованием расплавленных растворителей (обычным замораживанием или замораживанием при температурном градиенте C30B 11/00; зонной плавкой C30B 13/00; вытягиванием кристаллов C30B 15/00; на погруженном затравочном кристалле C30B 17/00; жидкофазным выращиванием эпитаксиальных слоев C30B 19/00; под защитной жидкостью C30B 27/00) [3]
|
| C30B 11/00
| Выращивание монокристаллов обычным замораживанием или замораживанием при температурном градиенте, например по методу Бриджмена-Стокбаргера (C30B 13/00, C30B 15/00,C30B 17/00,C30B 19/00 имеют преимущество; под защитной жидкостью C30B 27/00) [3]
|
| C30B 13/00
| Выращивание монокристаллов зонной плавкой; очистка зонной плавкой (C30B 17/00 имеет преимущество; изменением поперечного сечения обрабатываемого твердого тела C30B 15/00; под защитной жидкостью C30B 27/00; для выращивания гомогенного поликристаллического материала с определенной структурой C30B 28/00; зонная очистка особых материалов классифицируется в соответствующих подклассах для материалов) [3,5]
|
| C30B 15/00
| Выращивание монокристаллов вытягиванием из расплава, например по методу Чохральского (под защитной жидкостью C30B 27/00) [3]
|
| C30B 17/00
| Выращивание монокристаллов на затравочном кристалле, остающемся в расплаве в процессе выращивания, например по методу Накена-Киропулоса (C30B 15/00 имеет преимущество) [3]
|
| C30B 19/00
| Жидкофазное выращивание эпитаксиальных слоев [3]
|
| C30B 21/00
| Однонаправленное отвердевание эвтектик [3]
|
| Выращивание монокристаллов из паров [3]
|
| C30B 23/00
| Выращивание монокристаллов конденсацией испаряемого или сублимируемого материала [3]
|
| C30B 25/00
| Выращивание монокристаллов путем химических реакций реакционноспособных газов, например химическим осаждением из паровой фазы [3]
|
| C30B 27/00
| Выращивание монокристаллов под защитной жидкостью [3]
|
| C30B 28/00
| Получение гомогенного поликристаллического материала с определенной структурой [5]
|
| C30B 29/00
| Монокристаллы или гомогенный поликристаллический материал с определенной структурой, отличающиеся материалом или формой (сплавы C22C) [3,5]
|
| Примечание :
При отсутствии специального указания в рубриках C30B 29/02- C30B 29/58 материал классифицируется по последней подходящей рубрике [3].
|
| C30B 30/00
| Производство монокристаллов или гомогенного поликристаллического материала с определенной структурой, отличающееся воздействием электрического или магнитного полей, волновой энергии или других специфических физических условий [5]
|
| Примечание :
При классифицировании в данной группе классифицирование также проводится в группах C30B 1/00-C30B 28/00 в соответствии со способом роста кристалла [5].
|
| Последующая обработка монокристаллов или гомогенного поликристаллического материала с определенной структурой [3,5]
|
| C30B 31/00
| Способы диффузии или легирования монокристаллов или гомогенного поликристаллического материала с определенной структурой; устройства для этих целей [3,5]
|
| C30B 33/00
| Последующая обработка монокристаллов или гомогенного поликристаллического материала с определенной структурой (C30B 31/00 имеет преимущество; шлифование, полирование B24; тонкая механическая обработка драгоценных камней, камней для часовых механизмов, кристаллов B28D 5/00) [3,5]
|
| C30B 35/00
| Устройства вообще, специально предназначенные для выращивания, получения или последующей обработки монокристаллов или гомогенного поликристаллического материала с определенной структурой [3,5]
|
БИРЖА
ПАТЕНТОВ и иной ИНТЕЛЛЕКТУАЛЬНОЙ
СОБСТВЕННОСТИ (ИС) - площадка для продажи ИС с
сопровождением и государственной
регистрацией сделки
Австрийская
фирма Skoconsult
GmbH Вена
ищет
надежного партнера в России для
открытия торговой фирмы по продаже
технических средств: комплектующие,
запчасти для гидравлики, пневматики,
конфекционирование
гидравлических шлангов, инструменты,
запчасти по спецзаказам и т.п. Наш
партнер должен иметь опыт в области
реализации и растаможивании товара, а
также заинтересован работать по
западноевропейской схеме ведения
данного предприятия.